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FCB199N65S3 Spécifications techniques

FCB199N65S3 datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 2
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Peak Reflow Temperature (Cel) 245
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Power Dissipation-Max 98W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 199m Ω @ 7A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1225pF @ 400V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 14A
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 35A
Avalanche Energy Rating (Eas) 76 mJ
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
Mounting Type Surface Mount
Weight 1.31247g
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Series SuperFET® III
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1
Terminal Finish Tin (Sn)
Terminal Form GULL WING
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 30
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Case Connection DRAIN
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 1.4mA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 14A Tc
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Vgs (Max) ±30V
Drain-source On Resistance-Max 0.199Ohm
DS Breakdown Voltage-Min 650V
RoHS Status RoHS Compliant
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Partie # Fabricant Catégorie Disponibilité
FCB199N65S3 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistors - FETs, MOSFETs - Simple 2745

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