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FDC642P-F085P
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FDC642P-F085P Spécifications techniques
PMOS SSOT6 20V 65 MOHM
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple |
Manufacturer | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® |
Power Dissipation (Max) | 1.2W (Ta) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9nC @ 4.5V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A (Ta) |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±8V |
Supplier Device Package | TSOT-23-6 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 65 mOhm @ 4A, 4.5V |
Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Mounting Type | Surface Mount |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 630pF @ 10V |
FET Type | P-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
Detailed Description | P-Channel 20V 4A (Ta) 1.2W (Ta) Surface Mount TSOT-23-6 |
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FDC6401N | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Réseaux | 80221 |
FDC6401N | ON Semiconductor | MOSFETs Transistors Arrays | |
FDC6401N-NL | FAIRCHILD | Circuits intégrés spécialisés | 15000 |
FDC640P | Fairchild/ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 9356 |
FDC640P | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 314054 |
FDC640P | ON Semiconductor | Transistors MOSFET simples | |
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