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FDP2D3N10C Spécifications techniques
MOSFET N-CH 100V 222A TO220-3
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple |
Manufacturer | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 700µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | PowerTrench® |
Power Dissipation (Max) | 214W (Tc) |
Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Manufacturer Standard Lead Time | 22 Weeks |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 152nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 222A (Tc) |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±20V |
Supplier Device Package | TO-220-3 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.3 mOhm @ 100A, 10V |
Package / Case | TO-220-3 |
Mounting Type | Through Hole |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 11180pF @ 50V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Detailed Description | N-Channel 100V 222A (Tc) 214W (Tc) Through Hole TO-220-3 |
FDP2D3N10C Documents
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
FDP2D3N10C | ON Semiconductor | Transistors MOSFET simples |
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