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FDP2D3N10C Spécifications techniques
FDP2D3N10C datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 20 Weeks |
Mount | Through Hole |
Package / Case | TO-220-3 |
Operating Temperature | -55°C~175°C TJ |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Element Configuration | Single |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.3m Ω @ 100A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 11180pF @ 50V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 152nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
RoHS Status | RoHS Compliant |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | ACTIVE (Last Updated: 2 days ago) |
Mounting Type | Through Hole |
Weight | 1.8g |
Series | PowerTrench® |
Part Status | Active |
Power Dissipation-Max | 214W Tc |
FET Type | N-Channel |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 700μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 222A Tc |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Vgs (Max) | ±20V |
FDP2D3N10C Documents
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Feuilles de données
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
FDP2D3N10C | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2660 |
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