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FPNH10 Spécifications techniques
TRANSISTOR RF NPN 25V 50MA TO-92
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - RF |
Manufacturer | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 25V |
Supplier Device Package | TO-92-3 |
Packaging | Bulk |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Mounting Type | Through Hole |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Frequency - Transition | 650MHz |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 4mA, 10V |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Transistor Type | NPN |
Power - Max | 350mW |
Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
Noise Figure (dB Typ @ f) | - |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Gain | - |
Detailed Description | RF Transistor NPN 25V 50mA 650MHz 350mW Through Hole TO-92-3 |
Current - Collector (Ic) (Max) | 50mA |
FPNH10 Documents
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Feuilles de données
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
FPNH10 | Fairchild/ON Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - RF | 2515 |
FPNH10 | Rochester Electronics, LLC | Transistors RF BJT | |
FPNH10 | ON Semiconductor | Transistors RF BJT |
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