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FPNH10 Spécifications techniques
TRANSISTOR RF NPN 25V 50MA TO-92
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Transistors RF BJT |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Mount | Through Hole |
Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
Supplier Device Package | TO-92-3 |
Packaging | Bulk |
Part Status | Obsolete |
Max Operating Temperature | 150°C |
Voltage - Rated DC | 25V |
Current Rating | 50mA |
Number of Elements | 1 |
Element Configuration | Single |
Power - Max | 350mW |
Transistor Type | NPN |
Max Collector Current | 50mA |
Collector Emitter Breakdown Voltage | 25V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 50mA |
Frequency - Transition | 650MHz |
Emitter Base Voltage (VEBO) | 3V |
Continuous Collector Current | 50mA |
Lead Free | Lead Free |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Pins | 3 |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 2009 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Min Operating Temperature | -55°C |
Max Power Dissipation | 350mW |
Frequency | 650MHz |
Polarity | NPN |
Power Dissipation | 350mW |
Gain Bandwidth Product | 650MHz |
Collector Emitter Voltage (VCEO) | 25V |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 4mA 10V |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 25V |
Max Frequency | 650MHz |
Collector Base Voltage (VCBO) | 30V |
hFE Min | 60 |
RoHS Status | RoHS Compliant |
FPNH10 Documents
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-
Feuilles de données
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Les pièces suivantes comprennent 'FPNH1'
Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
FPNH10 | Fairchild/ON Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - RF | 2515 |
FPNH10 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - RF | 2775 |
FPNH10 | Rochester Electronics, LLC | Transistors RF BJT |
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