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FQU2N80TU Spécifications techniques

MOSFET N-CH 800V 1.8A IPAK

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series QFET®
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 800V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.8A (Tc)
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package I-PAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.3 Ohm @ 900mA, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 550pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 800V 1.8A (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) Through Hole I-PAK
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FQU2N80TU fabricants de marques: AMI Semiconductor / ON Semiconductor, Bonchip action, FQU2N80TU prix de référence. FQU2N80TU paramètres, FQU2N80TU Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le FQU2N80TU Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver FQU2N80TU schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, FQU2N80TU tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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