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NDD01N60-1G Spécifications techniques

MOSFET N-CH 600V 1.5A IPAK

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3.7V @ 50µA
Supplier Device Package I-Pak
Power Dissipation (Max) 46W (Tc)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.2nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.5A (Tc)
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.5 Ohm @ 200mA, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 160pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
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NDD01N60-1G fabricants de marques: AMI Semiconductor / ON Semiconductor, Bonchip action, NDD01N60-1G prix de référence. NDD01N60-1G paramètres, NDD01N60-1G Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le NDD01N60-1G Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver NDD01N60-1G schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, NDD01N60-1G tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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