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NDD01N60T4G Spécifications techniques

MOSFET N-CH 600V 1.5A DPAK

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3.7V @ 50µA
Supplier Device Package DPAK
Power Dissipation (Max) 46W (Tc)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.2nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.5A (Tc)
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.5 Ohm @ 200mA, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 160pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
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