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NJVMJD112G
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NJVMJD112G Spécifications techniques
TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK-4
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple |
Manufacturer | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100V |
Transistor Type | NPN - Darlington |
Power - Max | 1.75W |
Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Mounting Type | Surface Mount |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 1000 @ 2A, 3V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 2A |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 3V @ 40mA, 4A |
Supplier Device Package | DPAK |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Frequency - Transition | 25MHz |
Current - Collector Cutoff (Max) | 20µA |
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
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NJVMJD112G fabricants de marques: AMI Semiconductor / ON Semiconductor, Bonchip action, NJVMJD112G prix de référence. NJVMJD112G paramètres, NJVMJD112G Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le NJVMJD112G Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver NJVMJD112G schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, NJVMJD112G tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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