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NJVMJD112G Spécifications techniques

NJVMJD112G datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors BJT simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 8 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Operating Temperature -65°C~150°C TJ
Published 2013
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Terminal Finish Tin (Sn)
Max Power Dissipation 1.75W
Power - Max 1.75W
Transistor Type NPN - Darlington
Max Collector Current 2A
Current - Collector Cutoff (Max) 20μA
Collector Emitter Breakdown Voltage 100V
Frequency - Transition 25MHz
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Packaging Tube
JESD-609 Code e3
Part Status Active
ECCN Code EAR99
Subcategory Other Transistors
Element Configuration Single
Polarity/Channel Type NPN
Collector Emitter Voltage (VCEO) 3V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 1000 @ 2A 3V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 3V @ 40mA, 4A
Transition Frequency 25MHz
Collector Base Voltage (VCBO) 100V
RoHS Status ROHS3 Compliant
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NJVMJD112G fabricants de marques: ON Semiconductor, Bonchip action, NJVMJD112G prix de référence. NJVMJD112G paramètres, NJVMJD112G Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le NJVMJD112G Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver NJVMJD112G schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, NJVMJD112G tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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