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NSBA114TDP6T5G
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NSBA114TDP6T5G Spécifications techniques
TRANS 2PNP PREBIAS 0.408W SOT963
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, Pré-polarisés |
Manufacturer | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Transistor Type | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) | - |
Power - Max | 408mW |
Package / Case | SOT-963 |
Frequency - Transition | - |
Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 1mA, 10mA |
Supplier Device Package | SOT-963 |
Resistor - Base (R1) (Ohms) | 10k |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Mounting Type | Surface Mount |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 160 @ 5mA, 10V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
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NSBA113EDXV6T1 | ON Semiconductor | Arrays de transistors BJT | |
NSBA113EDXV6T1 | Rochester Electronics, LLC | Arrays de transistors BJT | |
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NSBA113EDXV6T1G | ON Semiconductor | Arrays de transistors BJT | |
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NSBA114EDP6T5G | ON Semiconductor | Arrays de transistors BJT | |
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NSBA114TDP6T5G fabricants de marques: AMI Semiconductor / ON Semiconductor, Bonchip action, NSBA114TDP6T5G prix de référence. NSBA114TDP6T5G paramètres, NSBA114TDP6T5G Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le NSBA114TDP6T5G Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver NSBA114TDP6T5G schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, NSBA114TDP6T5G tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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