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NSBA114YDXV6T1G Spécifications techniques

TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, Pré-polarisés
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 47k
Power - Max 500mW
Package / Case SOT-563, SOT-666
Frequency - Transition -
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA
Supplier Device Package SOT-563
Resistor - Base (R1) (Ohms) 10k
Packaging Tape & Reel (TR)
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
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NSBA114YDXV6T1G fabricants de marques: AMI Semiconductor / ON Semiconductor, Bonchip action, NSBA114YDXV6T1G prix de référence. NSBA114YDXV6T1G paramètres, NSBA114YDXV6T1G Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le NSBA114YDXV6T1G Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver NSBA114YDXV6T1G schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, NSBA114YDXV6T1G tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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