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NSBA144WDP6T5G
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NSBA144WDP6T5G Spécifications techniques
TRANS 2PNP PREBIAS 0.408W SOT963
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, Pré-polarisés |
Manufacturer | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Transistor Type | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) | 22k |
Power - Max | 408mW |
Package / Case | SOT-963 |
Frequency - Transition | - |
Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Supplier Device Package | SOT-963 |
Resistor - Base (R1) (Ohms) | 47k |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Mounting Type | Surface Mount |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
NSBA113EDXV6T1 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, Pré-polarisés | 2561 |
NSBA113EDXV6T1 | ON Semiconductor | Arrays de transistors BJT | |
NSBA113EDXV6T1 | Rochester Electronics, LLC | Arrays de transistors BJT | |
NSBA113EDXV6T1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, Pré-polarisés | 2743 |
NSBA113EDXV6T1G | ON Semiconductor | Arrays de transistors BJT | |
NSBA113EF3T5G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple, Pré-polarisés | 2635 |
NSBA113EF3T5G | ON Semiconductor | Transistors BJT pré-polarisés | |
NSBA114EDP6T5G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, Pré-polarisés | 6222 |
NSBA114EDP6T5G | ON Semiconductor | Arrays de transistors BJT | |
NSBA114EDXV6T1 | ON | Circuits intégrés spécialisés | 5048 |
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