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NSTB1003DXV5T1G
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NSTB1003DXV5T1G Spécifications techniques
TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT553
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, Pré-polarisés |
Manufacturer | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | - |
Transistor Type | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) | - |
Power - Max | - |
Package / Case | SOT-553 |
Frequency - Transition | - |
Current - Collector Cutoff (Max) | - |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | - |
Supplier Device Package | SOT-553 |
Resistor - Base (R1) (Ohms) | - |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Mounting Type | Surface Mount |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | - |
Current - Collector (Ic) (Max) | - |
NSTB1003DXV5T1G Documents
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Feuilles de données
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
NSTB1002DXV5T1 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, Pré-polarisés | 3937 |
NSTB1002DXV5T1 | ON Semiconductor | Arrays de transistors BJT | |
NSTB1002DXV5T1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, Pré-polarisés | 3050 |
NSTB1002DXV5T1G | ON Semiconductor | Arrays de transistors BJT | |
NSTB1003DXV5T1G | ON Semiconductor | Arrays de transistors BJT | |
NSTB1004DXV5T1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, Pré-polarisés | 8203 |
NSTB1004DXV5T1G | ON Semiconductor | Arrays de transistors BJT | |
NSTB1005DXV5T1 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - Usage Spécial | 28000 |
NSTB1005DXV5T1 | ON Semiconductor | Transistors spécialisés | |
NSTB1005DXV5T1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - Usage Spécial | 108065 |
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