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NSTB1002DXV5T1G
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NSTB1002DXV5T1G Spécifications techniques
TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.5W SOT55
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Arrays de transistors BJT |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 17 Weeks |
Mounting Type | Surface Mount |
Surface Mount | YES |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 5 |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Min Operating Temperature | -55°C |
Subcategory | BIP General Purpose Small Signal |
Terminal Position | DUAL |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
Qualification Status | Not Qualified |
Polarity | NPN, PNP |
Power Dissipation | 357mW |
Transistor Type | 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP |
Max Collector Current | 200mA |
Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
Collector Emitter Breakdown Voltage | 40V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA 200mA |
Collector Emitter Saturation Voltage | 250mV |
Emitter Base Voltage (VEBO) | 6V |
Resistor - Base (R1) | 47k Ω |
Resistor - Emitter Base (R2) | 47k Ω |
Turn On Time-Max (ton) | 70ns |
Length | 1.7mm |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | ACTIVE (Last Updated: 3 days ago) |
Package / Case | SOT-553 |
Number of Pins | 5 |
Published | 2006 |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Max Operating Temperature | 150°C |
Additional Feature | BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1 |
Max Power Dissipation | 500mW |
Terminal Form | FLAT |
Current Rating | 100mA |
Pin Count | 5 |
Number of Elements | 2 |
Configuration | CASCADED, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR |
Transistor Application | SWITCHING |
Collector Emitter Voltage (VCEO) | 250mV |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA 10V / 100 @ 1mA 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300μA, 10mA / 400mV @ 5mA, 50mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V 40V |
Transition Frequency | 250MHz |
Frequency - Transition | 250MHz |
hFE Min | 250 |
Continuous Collector Current | -200mA |
Turn Off Time-Max (toff) | 300ns |
Height | 600μm |
Width | 1.3mm |
Lead Free | Lead Free |
NSTB1002DXV5T1G Documents
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Feuilles de données
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
NSTB1002DXV5T1 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, Pré-polarisés | 3937 |
NSTB1002DXV5T1 | ON Semiconductor | Arrays de transistors BJT | |
NSTB1002DXV5T1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, Pré-polarisés | 3050 |
NSTB1003DXV5T1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, Pré-polarisés | 2564 |
NSTB1003DXV5T1G | ON Semiconductor | Arrays de transistors BJT | |
NSTB1004DXV5T1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, Pré-polarisés | 8203 |
NSTB1004DXV5T1G | ON Semiconductor | Arrays de transistors BJT | |
NSTB1005DXV5T1 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - Usage Spécial | 28000 |
NSTB1005DXV5T1 | ON Semiconductor | Transistors spécialisés | |
NSTB1005DXV5T1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - Usage Spécial | 108065 |
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