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NSTB60BDW1T1
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NSTB60BDW1T1 Spécifications techniques
TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT363
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, Pré-polarisés |
Manufacturer | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Transistor Type | 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP |
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) | 47k |
Power - Max | 250mW |
Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Frequency - Transition | 140MHz |
Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 5mA, 10mA / 500mV @ 5mA, 50mA |
Supplier Device Package | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
Resistor - Base (R1) (Ohms) | 22k |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Mounting Type | Surface Mount |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V / 120 @ 5mA, 10V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 150mA |
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
NSTB60BDW1T1 | ON Semiconductor | Arrays de transistors BJT | |
NSTB60BDW1T1 | Rochester Electronics, LLC | Arrays de transistors BJT | |
NSTB60BDW1T1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, Pré-polarisés | 2652 |
NSTB60BDW1T1G | ON Semiconductor | Arrays de transistors BJT |
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