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NSTB60BDW1T1G Spécifications techniques
TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.25W SC88
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Arrays de transistors BJT |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 8 Weeks |
Mounting Type | Surface Mount |
Surface Mount | YES |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 6 |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Min Operating Temperature | -55°C |
Subcategory | Other Transistors |
Terminal Form | GULL WING |
Current Rating | -1mA |
Base Part Number | NSTB60B |
Qualification Status | Not Qualified |
Polarity | NPN, PNP |
Power Dissipation | 256mW |
Collector Emitter Voltage (VCEO) | 50V |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA 10V / 120 @ 5mA 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 5mA, 10mA / 500mV @ 5mA, 50mA |
Transition Frequency | 140MHz |
Frequency - Transition | 140MHz |
Resistor - Base (R1) | 22k Ω |
Resistor - Emitter Base (R2) | 47k Ω |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | ACTIVE (Last Updated: 5 days ago) |
Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Number of Pins | 6 |
Published | 2002 |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Max Operating Temperature | 150°C |
Additional Feature | BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 2.13 |
Max Power Dissipation | 250mW |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
Pin Count | 6 |
Number of Elements | 2 |
Element Configuration | Dual |
Transistor Type | 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP |
Max Collector Current | 150mA |
Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
Collector Emitter Breakdown Voltage | 50V |
Max Breakdown Voltage | 50V |
hFE Min | 80 |
Continuous Collector Current | -150mA |
REACH SVHC | No SVHC |
Lead Free | Lead Free |
NSTB60BDW1T1G Documents
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Feuilles de données
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
NSTB60BDW1T1 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, Pré-polarisés | 3000 |
NSTB60BDW1T1 | ON Semiconductor | Arrays de transistors BJT | |
NSTB60BDW1T1 | Rochester Electronics, LLC | Arrays de transistors BJT | |
NSTB60BDW1T1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, Pré-polarisés | 2652 |
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