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NSVBC114YPDXV65G
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NSVBC114YPDXV65G Spécifications techniques
TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, Pré-polarisés |
Manufacturer | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Transistor Type | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) | 47k |
Power - Max | 500mW |
Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
Frequency - Transition | - |
Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Supplier Device Package | SOT-563 |
Resistor - Base (R1) (Ohms) | 10k |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Mounting Type | Surface Mount |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
NSVBC114YPDXV65G Documents
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Feuilles de données
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
NSVBC114EDXV6T1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, Pré-polarisés | 8344 |
NSVBC114EDXV6T1G | ON Semiconductor | Arrays de transistors BJT | |
NSVBC114EPDXV6T1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, Pré-polarisés | 4000 |
NSVBC114EPDXV6T1G | ON Semiconductor | Arrays de transistors BJT | |
NSVBC114EPDXV6T1G IC | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Circuits intégrés spécialisés | 4268 |
NSVBC114YDXV6T1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, Pré-polarisés | 2543 |
NSVBC114YDXV6T1G | ON Semiconductor | Arrays de transistors BJT | |
NSVBC114YPDXV65G | ON Semiconductor | Arrays de transistors BJT | |
NSVBC114YPDXV6T1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, Pré-polarisés | 2747 |
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