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NSVBC114EDXV6T1G Spécifications techniques

TRANS 2NPN BIAS BIPOLAR SOT563

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Arrays de transistors BJT
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 17 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case SOT-563, SOT-666
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Active
ECCN Code EAR99
Subcategory BIP General Purpose Small Signal
Number of Elements 2
Polarity/Channel Type NPN
Collector Emitter Voltage (VCEO) 250mV
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 35 @ 5mA 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300μA, 10mA
Resistor - Base (R1) 10k Ω
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
Mounting Type Surface Mount
Transistor Element Material SILICON
Published 2012
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Terminal Finish Tin (Sn)
Max Power Dissipation 500mW
Power - Max 500mW
Transistor Type 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Max Collector Current 100mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Collector Emitter Breakdown Voltage 50V
Resistor - Emitter Base (R2) 10k Ω
Lead Free Lead Free
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NSVBC114EDXV6T1G fabricants de marques: ON Semiconductor, Bonchip action, NSVBC114EDXV6T1G prix de référence. NSVBC114EDXV6T1G paramètres, NSVBC114EDXV6T1G Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le NSVBC114EDXV6T1G Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver NSVBC114EDXV6T1G schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, NSVBC114EDXV6T1G tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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