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NTJD5121NT2G
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NTJD5121NT2G Spécifications techniques
MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SOT363
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Réseaux |
Manufacturer | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.6 Ohm @ 500mA, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 26pF @ 20V |
FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Supplier Device Package | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
Power - Max | 250mW |
Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.9nC @ 4.5V |
FET Feature | Logic Level Gate |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 295mA |
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
NTJD5121 | ON | Circuits intégrés spécialisés | 2700 |
NTJD5121NT1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Réseaux | 5369 |
NTJD5121NT1G | ON Semiconductor | MOSFETs Transistors Arrays | |
NTJD5121NT1G IC | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Circuits intégrés spécialisés | 432 |
NTJD5121NT2G | ON Semiconductor | MOSFETs Transistors Arrays |
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