NTJD5121NT1G Spécifications techniques

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Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / MOSFETs Transistors Arrays
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 16 Weeks
Contact Plating Tin
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Number of Pins 6
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2007
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Additional Feature LOW THRESHOLD
Max Power Dissipation 266mW
Base Part Number NTJD5121N
Number of Elements 2
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 22 ns
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.6 Ω @ 500mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 26pF @ 20V
Rise Time 34ns
Fall Time (Typ) 32 ns
Continuous Drain Current (ID) 295mA
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Nominal Vgs 1.7 V
Length 2.2mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 6
Resistance 1.6Ohm
Subcategory FET General Purpose Power
Terminal Form GULL WING
Pin Count 6
Element Configuration Dual
Power Dissipation 250W
Power - Max 250mW
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.9nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Turn-Off Delay Time 34 ns
Threshold Voltage 1.7V
Drain to Source Breakdown Voltage 60V
FET Feature Logic Level Gate
Height 1mm
Width 1.35mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
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Partie # Fabricant Catégorie Disponibilité
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