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NTLJS3A18PZTWG Spécifications techniques

MOSFET P-CH 20V 8.4A WDFN6

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Supplier Device Package 6-WDFN (2x2)
Power Dissipation (Max) 700mW (Ta)
Package / Case 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 28nC @ 4.5V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5A (Ta)
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18 mOhm @ 7A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2240pF @ 15V
FET Type P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
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NTLJS3A18PZTWG fabricants de marques: AMI Semiconductor / ON Semiconductor, Bonchip action, NTLJS3A18PZTWG prix de référence. NTLJS3A18PZTWG paramètres, NTLJS3A18PZTWG Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le NTLJS3A18PZTWG Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver NTLJS3A18PZTWG schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, NTLJS3A18PZTWG tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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