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NTMSD3P303R2G Spécifications techniques

MOSFET P-CH 30V 2.34A 8-SOIC

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package 8-SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs 85 mOhm @ 3.05A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 750pF @ 24V
FET Type P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series FETKY™
Power Dissipation (Max) 730mW (Ta)
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 10V
FET Feature Schottky Diode (Isolated)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.34A (Ta)
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NTMSD3P303R2G fabricants de marques: AMI Semiconductor / ON Semiconductor, Bonchip action, NTMSD3P303R2G prix de référence. NTMSD3P303R2G paramètres, NTMSD3P303R2G Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le NTMSD3P303R2G Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver NTMSD3P303R2G schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, NTMSD3P303R2G tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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