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C3M0120090D Spécifications techniques

900V, 120 MOHM, G3 SIC MOSFET

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer Cree
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 3mA
Technology SiCFET (Silicon Carbide)
Series C3M™
Power Dissipation (Max) 97W (Tc)
Package / Case TO-247-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17.3nC @ 15V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 900V
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) +18V, -8V
Supplier Device Package TO-247-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 155 mOhm @ 15A, 15V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 350pF @ 600V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 23A (Tc)
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