C3M0120100J Spécifications techniques

1000V, 120 MOHM, G3 SIC MOSFET

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer Cree
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 3mA
Technology SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Series C3M™
Power Dissipation (Max) 83W (Tc)
Package / Case TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 21.5nC @ 15V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 1000V (1kV)
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) +15V, -4V
Supplier Device Package D2PAK-7
Rds On (Max) @ Id, Vgs 155 mOhm @ 15A, 15V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 350pF @ 600V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 22A (Tc)
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