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S72VS256RE0AHBJ13
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S72VS256RE0AHBJ13 Spécifications techniques
IC FLASH RAM 256MIT PARALLEL
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Circuits intégrés (CI) / Mémoire |
Manufacturer | Cypress Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Write Cycle Time - Word, Page | - |
Technology | FLASH, DRAM |
Operating Temperature | -25°C ~ 85°C (TA) |
Memory Type | Non-Volatile |
Memory Interface | Parallel |
Manufacturer Standard Lead Time | 22 Weeks |
Detailed Description | FLASH, DRAM Memory IC 256Mbit Flash, 2565Mbit DDR DRAM Parallel 108MHz |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Voltage - Supply | 1.7 V ~ 1.95 V |
Series | VS-R |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 (168 Hours) |
Memory Size | 256Mbit Flash, 2565Mbit DDR DRAM |
Memory Format | FLASH, RAM |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Clock Frequency | 108MHz |
S72VS256RE0AHBJ13 Documents
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
S72VS256RE0AHBH10 | Cypress Semiconductor | Mémoire | 2604 |
S72VS256RE0AHBH10 | SPANSION | Circuits intégrés spécialisés | 2666 |
S72VS256RE0AHBH13 | Cypress Semiconductor | Mémoire | 2732 |
S72VS256RE0AHBJ10 | Cypress Semiconductor | Mémoire | 2651 |
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