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S72VS256RE0AHBH10 Spécifications techniques

IC FLASH RAM 256MIT PARALLEL

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Circuits intégrés (CI) / Mémoire
Manufacturer Cypress Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Write Cycle Time - Word, Page -
Technology FLASH, DRAM
Operating Temperature -25°C ~ 85°C (TA)
Memory Type Non-Volatile
Memory Interface Parallel
Manufacturer Standard Lead Time 22 Weeks
Detailed Description FLASH, DRAM Memory IC 256Mbit Flash, 2565Mbit DDR DRAM Parallel 108MHz
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - Supply 1.7 V ~ 1.95 V
Series VS-R
Moisture Sensitivity Level (MSL) 3 (168 Hours)
Memory Size 256Mbit Flash, 2565Mbit DDR DRAM
Memory Format FLASH, RAM
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Clock Frequency 108MHz
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Partie # Fabricant Catégorie Disponibilité
S72VS256RE0AHBH10 SPANSION Circuits intégrés spécialisés 2666
S72VS256RE0AHBH13 Cypress Semiconductor Mémoire 2732
S72VS256RE0AHBJ10 Cypress Semiconductor Mémoire 2651
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