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SQM100N10-10_GE3 Spécifications techniques

MOSFET N-CH 100V 100A TO-263

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 375W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 8050pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Detailed Description N-Channel 100V 100A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2Pak)
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package TO-263 (D2Pak)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10.5 mOhm @ 30A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names SQM100N10-10-GE3 SQM100N10-10-GE3-ND SQM100N10-10_GE3-ND SQM100N10-10_GE3TR
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 185nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 100A (Tc)
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SQM100N10-10_GE3 fabricants de marques: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip action, SQM100N10-10_GE3 prix de référence. SQM100N10-10_GE3 paramètres, SQM100N10-10_GE3 Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le SQM100N10-10_GE3 Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver SQM100N10-10_GE3 schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, SQM100N10-10_GE3 tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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