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SQM100N04-2M7_GE3
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SQM100N04-2M7_GE3 Spécifications techniques
MOSFET N-CH 40V 100A TO-263
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple |
Manufacturer | Vishay / Siliconix |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Supplier Device Package | TO-263 (D²Pak) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.7 mOhm @ 30A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7910pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
Power Dissipation (Max) | 157W (Tc) |
Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 145nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
SQM100N04-2M7_GE3 Documents
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Feuilles de données
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Les pièces suivantes comprennent 'SQM10'
Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
SQM1000A | Essentra Components | accessoires | 0 |
SQM100N02-3M5L_GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 0 |
SQM100N04-2M7 | VB | Circuits intégrés spécialisés | 10460 |
SQM100N04-2M7 MOS | VBSEMI | Circuits intégrés spécialisés | 1459 |
SQM100N04-2M7_GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 0 |
SQM100N04-3M5-GE3 | VISHAY | Circuits intégrés spécialisés | 16372 |
SQM100N10-10 | VISHAY | Circuits intégrés spécialisés | 11416 |
SQM100N10-10-GE3 | VISHAY | Circuits intégrés spécialisés | 13915 |
SQM100N10-10_GE3 | Vishay / Siliconix | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 1067 |
SQM100N10-10_GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 3053 |
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