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FJV3112RMTF
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FJV3112RMTF Spécifications techniques
TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple, Pré-polarisés |
Manufacturer | Fairchild/ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40V |
Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) | - |
Power - Max | 200mW |
Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Frequency - Transition | 250MHz |
Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 1mA, 10mA |
Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
Resistor - Base (R1) (Ohms) | 47k |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Mounting Type | Surface Mount |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 1mA, 5V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
FJV3112RMTF Documents
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
FJV3101RLIMTF | FAIRCHI | Circuits intégrés spécialisés | 4101 |
FJV3101RMTF | Fairchild/ON Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple, Pré-polarisés | 993875 |
FJV3101RMTF | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple, Pré-polarisés | 993875 |
FJV3101RMTF | ON Semiconductor | Transistors BJT pré-polarisés | |
FJV3102RMTF | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple, Pré-polarisés | 42941 |
FJV3102RMTF | Fairchild/ON Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple, Pré-polarisés | 42941 |
FJV3102RMTF | ON Semiconductor | Transistors BJT pré-polarisés | |
FJV3103RMTF | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple, Pré-polarisés | 132094 |
FJV3103RMTF | Fairchild/ON Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple, Pré-polarisés | 71263 |
FJV3103RMTF | ON Semiconductor | Transistors BJT pré-polarisés |
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