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GP2M012A080NG Spécifications techniques

MOSFET N-CH 800V 12A TO3PN

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer Global Power Technologies Group
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Supplier Device Package TO-3PN
Power Dissipation (Max) 416W (Tc)
Package / Case TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 79nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A (Tc)
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 650 mOhm @ 6A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3370pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 800V
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GP2M012A080NG fabricants de marques: Global Power Technologies Group, Bonchip action, GP2M012A080NG prix de référence. GP2M012A080NG paramètres, GP2M012A080NG Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le GP2M012A080NG Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver GP2M012A080NG schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, GP2M012A080NG tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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