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IXFB110N60P3 Spécifications techniques

MOSFET N-CH 600V 110A PLUS264

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 8mA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series HiPerFET™, Polar3™
Power Dissipation (Max) 1890W (Tc)
Package / Case TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 245nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package PLUS264™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 56 mOhm @ 55A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 18000pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 110A (Tc)
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