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IXFB170N30P Spécifications techniques

MOSFET N-CH TO-264

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package PLUS264™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18 mOhm @ 85A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 20000pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 300V
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series HiPerFET™, PolarP2™
Power Dissipation (Max) 1250W (Tc)
Package / Case TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 258nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 170A (Tc)
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IXFB170N30P fabricants de marques: IXYS Corporation, Bonchip action, IXFB170N30P prix de référence. IXFB170N30P paramètres, IXFB170N30P Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le IXFB170N30P Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver IXFB170N30P schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, IXFB170N30P tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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