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IXFN55N50F Spécifications techniques

MOSFET N-CH 500V 55A SOT227B

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5.5V @ 8mA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series HiPerRF™
Power Dissipation (Max) 600W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6700pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 55A (Tc)
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package SOT-227B
Rds On (Max) @ Id, Vgs 85 mOhm @ 27.5A, 10V
Package / Case SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type Chassis Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 195nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 500V
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IXFN55N50F fabricants de marques: IXYS Corporation, Bonchip action, IXFN55N50F prix de référence. IXFN55N50F paramètres, IXFN55N50F Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le IXFN55N50F Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver IXFN55N50F schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, IXFN55N50F tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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