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IXFT96N20P Spécifications techniques
MOSFET N-CH 200V 96A TO-268
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple |
Manufacturer | IXYS Corporation |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 4mA |
Supplier Device Package | TO-268 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 24 mOhm @ 500mA, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4800pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | PolarHT™ HiPerFET™ |
Power Dissipation (Max) | 600W (Tc) |
Package / Case | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 145nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 96A (Tc) |
IXFT96N20P Documents
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Feuilles de données
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
IXFT94N30P3 | IXYS Corporation | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2768 |
IXFT94N30T | IXYS Corporation | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2737 |
IXFT9N80Q | IXYS Corporation | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2777 |
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