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IXFT9N80Q Spécifications techniques

MOSFET N-CH 800V 9A TO-268

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 2.5mA
Supplier Device Package TO-268
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.1 Ohm @ 500mA, 10V
Packaging Bulk
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2200pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 800V
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series HiPerFET™
Power Dissipation (Max) 180W (Tc)
Package / Case TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 56nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9A (Tc)
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IXFT9N80Q fabricants de marques: IXYS Corporation, Bonchip action, IXFT9N80Q prix de référence. IXFT9N80Q paramètres, IXFT9N80Q Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le IXFT9N80Q Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver IXFT9N80Q schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, IXFT9N80Q tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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