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BSZ160N10NS3GATMA1
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BSZ160N10NS3GATMA1 Spécifications techniques
MOSFET N-CH 100V 40A TSDSON-8
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 18 Weeks |
Package / Case | 8-PowerTDFN |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Series | OptiMOS™ |
Pbfree Code | no |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
HTS Code | 8541.29.00.95 |
Terminal Position | DUAL |
Reach Compliance Code | not_compliant |
JESD-30 Code | S-PDSO-N5 |
Number of Elements | 1 |
Power Dissipation-Max | 2.1W Ta 63W Tc |
Case Connection | DRAIN |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 12μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A Ta 40A Tc |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Vgs (Max) | ±20V |
Drain-source On Resistance-Max | 0.016Ohm |
DS Breakdown Voltage-Min | 100V |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mounting Type | Surface Mount |
Surface Mount | YES |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 2011 |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 5 |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Terminal Form | NO LEAD |
Pin Count | 8 |
Qualification Status | Not Qualified |
Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16m Ω @ 20A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1700pF @ 50V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 6V 10V |
Drain Current-Max (Abs) (ID) | 40A |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 160A |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 80 mJ |
BSZ160N10NS3GATMA1 Documents
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