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BSZ165N04NS G Spécifications techniques

BSZ165N04NS G Infineon Technologies

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 10µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series OptiMOS™
Power Dissipation (Max) 2.1W (Ta), 25W (Tc)
Package / Case 8-PowerTDFN
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package PG-TSDSON-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16.5 mOhm @ 20A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 840pF @ 20V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8.9A (Ta), 31A (Tc)
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BSZ165N04NS G fabricants de marques: International Rectifier (Infineon Technologies), Bonchip action, BSZ165N04NS G prix de référence. BSZ165N04NS G paramètres, BSZ165N04NS G Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le BSZ165N04NS G Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver BSZ165N04NS G schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, BSZ165N04NS G tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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