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FF900R12IE4VPBOSA1 Spécifications techniques

IGBT MOD 1200V 900A 20MW

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Modules IGBT
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mounting Type Chassis Mount
Surface Mount NO
Operating Temperature -40°C~150°C
Series PrimePack™2
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Position UPPER
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-PUFM-X10
Configuration Half Bridge
Power - Max 20mW
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Current - Collector Cutoff (Max) 5mA
Current - Collector (Ic) (Max) 900A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 900A
IGBT Type Trench Field Stop
Input Capacitance (Cies) @ Vce 54nF @ 25V
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Package / Case Module
Transistor Element Material SILICON
Published 2002
Part Status Active
Number of Terminations 10
Additional Feature UL APPROVED
Terminal Form UNSPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 2
Case Connection ISOLATED
Transistor Application POWER CONTROL
Input Standard
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Turn On Time 350 ns
Turn Off Time-Nom (toff) 940 ns
NTC Thermistor Yes
RoHS Status ROHS3 Compliant
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