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IPA040N06NXKSA1 Spécifications techniques

Trans MOSFET N-CH 60V 69A 3-Pin TO-220 Tube

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 13 Weeks
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2012
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 3
Terminal Finish Tin (Sn)
Terminal Position SINGLE
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 14 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 3.3V @ 50μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3375pF @ 30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 44nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 6V 10V
Fall Time (Typ) 8 ns
Continuous Drain Current (ID) 69A
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain-source On Resistance-Max 0.004Ohm
Avalanche Energy Rating (Eas) 77 mJ
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Through Hole
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series OptiMOS™
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 36W Tc
Case Connection ISOLATED
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4m Ω @ 69A, 10V
Halogen Free Halogen Free
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 69A Tc
Rise Time 16ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 33 ns
JEDEC-95 Code TO-220AB
Max Dual Supply Voltage 60V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 276A
RoHS Status ROHS3 Compliant
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