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IPA041N04NGXKSA1 Spécifications techniques

MOSFET N-CH 40V TO220-3

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 13 Weeks
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2013
Part Status Active
Max Operating Temperature 175°C
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Turn On Delay Time 16 ns
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.1mOhm @ 70A, 10V
Halogen Free Halogen Free
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 70A Tc
Rise Time 3.8ns
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 4.8 ns
Continuous Drain Current (ID) 70A
Max Dual Supply Voltage 40V
Drain to Source Resistance 3.5mOhm
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Through Hole
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Supplier Device Package PG-TO220-FP
Packaging Tube
Series OptiMOS™
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Min Operating Temperature -55°C
Power Dissipation-Max 35W Tc
FET Type N-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 45μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4500pF @ 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 56nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 23 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Input Capacitance 4.5nF
Rds On Max 4.1 mΩ
Lead Free Lead Free
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