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IPA50R950CE Spécifications techniques

MOSFET N-CH 500V 4.3A PG-TO220FP

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 6 Weeks
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series CoolMOS™
Part Status Obsolete
Number of Terminations 3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-PSFM-T3
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 950m Ω @ 1.2A, 13V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 231pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10.5nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 13V
JEDEC-95 Code TO-220AB
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 12.8A
Avalanche Energy Rating (Eas) 68 mJ
RoHS Status RoHS Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Through Hole
Surface Mount NO
Operating Temperature -40°C~150°C TJ
Published 2008
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Position SINGLE
Reach Compliance Code compliant
Pin Count 3
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 25.7W Tc
Case Connection ISOLATED
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 100μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.3A Tc
Drain to Source Voltage (Vdss) 500V
Vgs (Max) ±20V
Drain-source On Resistance-Max 0.95Ohm
DS Breakdown Voltage-Min 500V
FET Feature Super Junction
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