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IPA80R450P7XKSA1 Spécifications techniques

MOSFET N-CH 800V 11A TO220

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 18 Weeks
Mounting Type Through Hole
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series CoolMOS™
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) Not Applicable
Terminal Finish Tin (Sn)
Terminal Position SINGLE
Ti[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 29W Tc
Case Connection ISOLATED
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 220μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 11A Tc
Drain to Source Voltage (Vdss) 800V
Vgs (Max) ±20V
JEDEC-95 Code TO-220AB
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 29A
Avalanche Energy Rating (Eas) 29 mJ
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Through Hole
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2013
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-PSFM-T3
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 450m Ω @ 4.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 770pF @ 500V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Continuous Drain Current (ID) 11A
Drain-source On Resistance-Max 0.45Ohm
DS Breakdown Voltage-Min 800V
FET Feature Super Junction
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