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IPB038N12N3GATMA1 Spécifications techniques

Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(2+Tab) TO-263

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 13 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2008
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 2
Terminal Finish Tin (Sn)
Terminal Position SINGLE
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 300W Tc
Power Dissipation 300W
Turn On Delay Time 35 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 270μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 120A Tc
Rise Time 52ns
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 21 ns
Continuous Drain Current (ID) 120A
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 480A
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series OptiMOS™
Pbfree Code no
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form GULL WING
Reach Compliance Code not_compliant
Pin Count 4
Qualification Status Not Qualified
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.8m Ω @ 100A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 13800pF @ 60V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 211nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 120V
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 70 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Avalanche Energy Rating (Eas) 900 mJ
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