IPD25N06S240ATMA1 Spécifications techniques

MOSFET N-CH 55V 29A TO252-3

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series OptiMOS™
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Position SINGLE
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 8 ns
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40m Ω @ 13A, 10V
Halogen Free Halogen Free
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 29A Tc
Rise Time 20ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 18 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain-source On Resistance-Max 0.04Ohm
Avalanche Energy Rating (Eas) 80 mJ
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2006
Part Status Discontinued
Number of Terminations 2
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form GULL WING
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 68W Tc
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 26μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 513pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 19 ns
Continuous Drain Current (ID) 29A
Max Dual Supply Voltage 55V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 116A
Radiation Hardening No
Lead Free Contains Lead
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