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IPD25N06S240ATMA2 Spécifications techniques

MOSFET N-CH 55V 29A TO252-3

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 10 Weeks
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series OptiMOS™
Part Status Active
Number of Terminations 2
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form GULL WING
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 68W Tc
Case Connection DRAIN
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40m Ω @ 13A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 513pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 29A
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 116A
Avalanche Energy Rating (Eas) 80 mJ
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2006
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Position SINGLE
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
FET Type N-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 26μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 29A Tc
Drain to Source Voltage (Vdss) 55V
Vgs (Max) ±20V
Drain-source On Resistance-Max 0.04Ohm
DS Breakdown Voltage-Min 55V
RoHS Status ROHS3 Compliant
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