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IPD60R360P7SAUMA1 Spécifications techniques

MOSFET N-CH 600V 9A TO252-3

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 18 Weeks
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series CoolMOS™ P7
Part Status Active
Number of Terminations 2
Terminal Finish Tin (Sn)
Terminal Position SINGLE
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 41W Tc
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 360m Ω @ 2.7A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 555pF @ 400V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Drain-source On Resistance-Max 0.36Ohm
DS Breakdown Voltage-Min 600V
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Operating Temperature -40°C~150°C TJ
Published 2014
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 3 (168 Hours)
ECCN Code EAR99
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form GULL WING
Reach Compliance Code not_compliant
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 140μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9A Tc
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Vgs (Max) ±20V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 26A
Avalanche Energy Rating (Eas) 27 mJ
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