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IPD60R385CPBTMA1 Spécifications techniques

Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) TO-252

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2011
JESD-609 Code e3
Part Status Obsolete
Number of Terminations 2
Terminal Finish Matte Tin (Sn)
Terminal Position SINGLE
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Pin Count 4
Qualification Status Not Qualified
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 385m Ω @ 5.2A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 790pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Vgs (Max) ±20V
Continuous Drain Current (ID) 9A
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 9A
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 27A
RoHS Status RoHS Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series OptiMOS™
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form GULL WING
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 40
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 83W Tc
Power Dissipation 83W
Turn On Delay Time 10 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 340μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9A Tc
Rise Time 5ns
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Turn-Off Delay Time 40 ns
JEDEC-95 Code TO-252AA
Max Dual Supply Voltage 600V
Drain-source On Resistance-Max 0.385Ohm
Avalanche Energy Rating (Eas) 227 mJ
Lead Free Lead Free
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