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IPDD60R102G7XTMA1
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IPDD60R102G7XTMA1 Spécifications techniques
650v, 66a, 102mOhms, DDPAK Mosfet
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 18 Weeks |
Package / Case | 10-PowerSOP Module |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Part Status | Active |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
FET Type | N-Channel |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 390μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 23A Tc |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Vgs (Max) | ±20V |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mounting Type | Surface Mount |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Series | CoolMOS™ G7 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
Power Dissipation-Max | 139W Tc |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 102m Ω @ 7.8A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1320pF @ 400V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 34nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
IPDD60R102G7XTMA1 Documents
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Feuilles de données
D'autres incluent "IPDD6" les pièces
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
IPDD60R050G7XTMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 430 |
IPDD60R050G7XTMA1 | Infineon Technologies | Transistors MOSFET simples | |
IPDD60R080G7XTMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2544 |
IPDD60R080G7XTMA1 | Infineon Technologies | Transistors MOSFET simples | |
IPDD60R102G7XTMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2544 |
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